IRLB8721 Transistor MOSFET 30V 62A Canal N

INFORMACIÓN

IRLB8721 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 30V y 62A compatible con lógica de 5V. El IRLB8721 es un transistor de potencia así como de alto rendimiento y baja frecuencia.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

• Tipo: Transistor MOSFET
• Serie: IRLB8721
• Encapsulado: TO-220AB
• Pines: 3
• Canal: 1 N-Channel
• Montaje: THT Through Hole
• Voltaje drenaje-fuente (Vds): 30V
• Voltaje compuerta-fuente (Vgs): 20V
• Disipación de potencia (Pd): 65W (Requiere disipador de calor)
• Corriente continua de drenaje (Id): 62A
• Drenaje-fuente en resistencia V GS = 10V: 8.7 mΩ

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DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• IRLB8721 Datasheet
• Pinout
• Footprint
• Modelo 3D

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INFORMACIÓN ADICIONAL

Teoría de funcionamiento del MOSFET de canal N

Las hojas de especificaciones de los MOSFETS pueden parecer bastante complicadas, pero para muchas aplicaciones solo debemos prestar atención a algunos parámetros clave que se explican a continuación.

VDS: El voltaje de drenaje a fuente es el voltaje máximo que el dispositivo puede usar para cambiar. Si está cambiando 12V, necesita un dispositivo con un VDS > 12V y por lo general, desea algo con un margen de seguridad considerable.

ID: La corriente de drenaje continua es la corriente máxima que el dispositivo puede manejar, esto a menudo se especificará en varias condiciones, como a una temperatura ambiente de 25°C ya una temperatura de funcionamiento alta de 100°C o similar. Alcanzar la corriente máxima a través del dispositivo supone que lo está encendiendo completamente y que se aplica el disipador de calor adecuado. Si tiene un dispositivo que consume 10A, necesita un ID > 10A. En general, cuanto mayor sea la clasificación de I D del dispositivo en comparación con la cantidad de corriente que necesita pasar a través de él, más fácil será administrar las térmicas.

VGS: El voltaje de la puerta es el diferencial de voltaje entre la puerta y la fuente, que es la fuerza con la que se maneja el MOSFET.

VGS(th): El voltaje de umbral de puerta es el voltaje al que el MOSFET comienza a conducir. Cualquier voltaje menor que este conducirá al MOSFET al estado APAGADO conocido como la región de corte. Para que sea compatible con la lógica, el V GS (th) debe estar muy por debajo del nivel lógico de alto voltaje.

RDS(on): la resistencia estática de drenaje a fuente es la resistencia mínima del MOSFET cuando se conduce al estado completamente encendido conocido como región de saturación. La clave que debe buscar aquí es que R DS (encendido) se puede especificar en uno o un par de voltajes VGS.

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ENLACES EXTERNOS

• Funcionamiento
• Medición de transistores