ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Estilo de montaje: SMD/SMT
- Paquete / Cubierta: TO-252-3
- Polaridad del transistor: N-Channel
- Número de canales: 1 Channel
- Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V
- Id – Corriente de drenaje continua: 43 A
- Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 12.6 mOhms
- Vgs – Tensión entre puerta y fuente: – 20 V, + 20 V
- Vgs th – Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
- Qg – Carga de puerta: 22 nC
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
- Dp – Disipación de potencia : 71 W
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