Transistor IRF9Z34

Name: Transistor IRF9Z34
SKU: AR0864
Price: 12.00 MXN
Availability: InStock

$12.00

173 disponibles

Tabla de Precios

Cantidad	Precio
1 - 24	$12.00
25 - 99	$9.87
100 - 199	$8.60
200+	$6.85

SKU: AR0864 Categorías: Componentes Electrónicos, Transistores

Descripción
Valoraciones (0)

INFORMACIÓN

¿Qué es?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

¿Para qué es?
Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria
Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.

¿Cómo Funciona?
Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.
Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.
Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.

Especificaciones y Características

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 34 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

Tutorial
Funcionamiento y mediciones
Mosfet Tutorial

Documentación
Hoja de datos
Diagramas de conexión
Footprint
Modelo 3D

Datos adicionales

¿Cómo Checar un transistor Mosfet?
En la función de diodos del multimetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del multimetro, en el terminal Drain y (+) en el terminal Source.
Resultado de la prueba:
Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados varían según el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito.

¿Cómo Funciona un transistor Mosfet?
El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.