TIP147 Transistor PNP -100V -10A TO-3PN
$ 36.00
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INFORMACIÓN
El TIP147 Transistor PNP de potencia, está diseñado para manejar una corriente continua de -10A y voltaje colector-emisor de -100V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones donde se requiere control de potencia, su configuración Darlington permite una alta ganancia de corriente, lo que lo hace útil para amplificar señales débiles en presencia de corrientes altas. El transistor TIP147 tiene como complemento al TIP142 el cual es un transistor NPN que se puede usar en aplicaciones donde se necesite un par complementario NPN-PNP para diseño de etapas de salida, entre otras aplicaciones.
El TIP147 Transistor PNP se utiliza principalmente en aplicaciones de potencia, como control de motores, control de iluminación, fuentes de alimentación conmutadas, y otros circuitos que requieran manejar corrientes y voltajes elevados. ¡Consulta Aquí y descubre cómo nuestros transistores pueden impulsar el éxito de tus creaciones!.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Matrícula: TIP147
- Encapsulado: TO-3PN
- Tipo: PNP
- Voltaje:
- VCEO: -100V
- VCBO: -100V
- VEBO : -5V
- Corriente:
- IC: -10A
- IB: -0.5A
- Colector Pico: -15A
- Disipación total del dispositivo (Pc): 125W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Montaje: THT
- Pines: 3
- Temperatura de trabajo: -65 a 150°C
- Dimensiones: 40.24 mm x 15.55 mm x 4.77 mm
- Peso: 5.3 g
SUSTITUTO
- Similares: BDV64BG , TIP147G
Nota: Los siguientes IC son recomendaciones de sustitutos, recuerde siempre revisar el Datasheet de estos para confirma que son adecuado a sus requerimientos.
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
INFORMACIÓN ADICIONAL
Recomendaciones de Uso
- El TIP147 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
- Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.
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