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RC0805FR-07470RL Resistor 470Ohms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.
WST3401 Mosfet P -30v 5.5A SMD El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 1.36.
Termistor SL10 2R505 Ametherm El precio original era: $ 13.00.El precio actual es: $ 10.34.
RGB WS2812 con Interfaz para ESP8266 El precio original era: $ 37.00.El precio actual es: $ 18.22.
HT1622 IC SMD El precio original era: $ 48.00.El precio actual es: $ 24.13.
BSS214NH6327XTSA1 Mosfet N 20v 1.5A SMD El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 1.79.
WR06X471 Resistor 470 Ohms 1/10W 0603 SMD JTL El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.
Conector JST SR 3 Pines Horizontal SM03B-SRSS-TB(LF)(SN) El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 2.63.

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N - Imagen 2

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N - Imagen 3

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N - Imagen 4

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N - Imagen 5

2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N

$ 3.00

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Cantidad	Precio
25 - 99	$ 2.13
100 - 199	$ 1.73
200+	$ 1.26

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SKU: AR2724 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: 200mA, 2N7000, 2N7000 Transistor, 60V, canal n, mosfet, N canal, transistor

INFORMACIÓN

El 2N7000 es un Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.

El 2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N son útiles en diversas aplicaciones de conmutación de señales eléctricas de baja tensión y baja corriente, como por ejemplo para el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET y otras aplicaciones de conmutación.

ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS

Serie: 2N7000
Tipo de transistor: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-92-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Voltaje de Drenaje a Fuente Vds: 60V
Corriente Continua de Drenaje Id: 200mA
Resistencia de Activación Rds(on): 5 Ohms
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Disipación de Potencia Pd: 400mW
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Altura: 5.33 mm
Longitud: 5.2 mm
Ancho: 4.19 mm

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

Peso	0.0002 kg
Dimensiones	0.5 × 2 × 0.5 cm

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