Transistores BJT BD136 / BD139 T0-126 80V 1.5A

Transistores BJT con encapsulado TO-126 de 80Volts a 1.5Ampers disponible en dos versiones, BD136 PNP y BD139 NPN podrás seleccionar el que más se ajuste a tus necesidades. Estos transistores BJT están diseñados para utilizare en amplificadores y controladores de audio o como circuito complementario.

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• Tipo de Transistor: PNP
• Serie: BD136
• Encapsulado: TO-126
• Estilo de montaje: Through Hole
• Pines: 3
• Altura: 10.8 mm
• Longitud: 7.8 mm
• Ancho: 2.1 mm
• Peso de la unidad: 60 mg
• Voltaje VEBO emisor-base: -5V
• Voltaje Máx. VCEO colector-emisor: -45V
• Tensión Colector-Base VCBO: -45V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V
• Corriente CC máxima de colector: 1.5 A
• Dp – Disipación de potencia: 12.5 W
• Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
• Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C

BD139 Transistor BJT NPN T0-127 80V 1.5A

• Tipo de Transistor: NPN
• Serie: BD139
• Encapsulado: TO-126
• Estilo de montaje: Through Hole
• Pines: 3
• Altura: 10.8 mm
• Longitud: 7.8 mm
• Ancho: 2.1 mm
• Peso de la unidad: 60 mg
• Voltaje VEBO emisor-base: 5V
• Voltaje Máx. VCEO colector-emisor: 80V
• Tensión Colector-Base VCBO: 80V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V
• Corriente CC máxima de colector: 1.5 A
• Producto para ganar Ancho de banda fT: 320 MHz
• Dp – Disipación de potencia: 12.5 W
• Máx. ganancia de CC hFE: 250
• Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
• Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C