KSE340 Transistor NPN 300V 0.5A TO-126

INFORMACIÓN

El KSE340 Transistor NPN es un dispositivo semiconductor que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje; maneja un voltaje colector y emisor con la base abierta  de 300V y corrientes en modo continuo IC de 500 mA . El KSE340 tiene como complemento al KSE350, el cual es un transistor PNP que se puede usar en aplicaciones donde se necesite un par complementario NPN-PNP para diseño de etapas de salida push-pull, entre otras aplicaciones.

El Transistor NPN KSE340  es recomendado para soportar altos niveles de voltaje, capaz de manejar corrientes moderadas actuando como interruptor. También es útil para amplificar señales débiles (audio o digitales) o en aplicaciones de aislamiento o adaptación de impedancias. ¡Consulta Aquí y descubre cómo nuestros transistores pueden impulsar el éxito de tus creaciones!.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Matrícula: KSE340
• Encapsulado: TO-126
• Tipo: NPN
• Voltaje:
  • VCEO: 300V
  • VCBO: 300 V
• Corriente:
  • IC: 500 mA
• Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
• Frecuencia de Transición: 3MHz
• Ganancia de corriente continua (hfe): 30
• Montaje: THT
• Pines: 3
• Temperatura de trabajo: -65°C a 150°C
• Dimensiones: 7.6 x 24.6mm
• Peso: 0.49 g

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SUSTITUTO

• Similares: KSE340G

Nota: Los siguientes transistores son recomendaciones de sustitutos, recuerde siempre revisar el Datasheet de estos para confirmar que son adecuado a sus requerimientos.

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DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet
• Pinout
• Dimensiones

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INFORMACIÓN ADICIONAL

• El KSE340 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
• Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.
• La linealidad del h_FE (ganancia de corriente en continua) ayuda a que el transistor mantenga una ganancia constante sobre un rango de corrientes, lo cual es importante para aplicaciones que requieren un comportamiento predecible.

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ENLACES EXTERNOS

•  Medición de transistores Bipolares – Video
• Falla de transistores – Video