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Mosfet N 100v 10A SMD FQD13N10LTM
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Mosfet N 100v 10A SMD FQD13N10LTM, encuentra más transistores Aquí.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Transistor Mosfet N
- Tipo de FET: Canal N
- SMD/SMT
- Paquete: TO-252-2(DPAK)
- Voltaje de drenaje (Vdss): 100V
- Corriente drenaje (Id): 10A
- Vgs (th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250uA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mΩ @ 5A,10V
- Potencia de disipación: 2.5W
- RoHS: Libre de plomo
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
| Paquete del transistor: | TO-252-2(DPAK) |
|---|---|
| Tipo de transistor: | Mosfet N |
| Corriente drenaje (Id): | 10A |
| Voltaje de drenaje (Vdss): | 100V |
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