FGH60N60SFD Transistor IGBT TO-247
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INFORMACIÓN
FGH60N60SFD es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 600V.
Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Comúnmente es implementado en aplicaciones de:
- Inversores solares
- UPS
- Soldadores y PFC donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
- Tipo: Transistor IGBT
- Numero de serie: FGH60N60SDF
- Paquete: TO-247AB-3
- Estilo de montaje: Through Hole
- Color: Negro y Gris
- Dimensiones: 15.7mm x 34.6mm
- Peso: 5g
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 600V
- Corriente en Colector: 60A
- Máximo voltaje puerta-emisor: ± 20V
- Voltaje transitorio de puerta a emisor: ±30V
- Corriente de colector IC:
- 120A – TC=25°
- 60A – TC=100°
- Potencia de disipación:
- 378W – TC = 25°C
- 151 – TC = 100°C
- Temperatura de trabajo: Max.+150° y Min. -55°
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
INFORMACIÓN ADICIONAL
Diagrama de Marcado
La marca del transistor puede variar , ya que depende del fabricante. A continuación el significado de las marcas:
- $Y: Logo del Semiconductor
- &Z: Código de la planta de ensamble
- &3:Codigo de Fecha
- &K: Código del Lote
ENLACES EXTERNOS
AR1867
| Peso | 0.005 kg |
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