INFORMACIÓN
El IHW20N120R3 es un transistor IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) diseñado para manejar altas corrientes y voltajes en aplicaciones de potencia, algunas de sus características típicas incluyen una corriente de colector continua de 20 A y un voltaje colector-emisor 1200 V. El paquete TO-247 indica que el transistor tiene un diseño pensado para facilitar la disipación de calor, lo cual es crucial en aplicaciones que manejan corrientes altas.
El IHW20N120R3 IGBT es esencial en sistemas que requieren control de potencia de alta calidad y confiabilidad como: en sistemas de conversión de energía, frecuencia para control de motores, fuentes de alimentación conmutadas, sistemas de control de motores eléctricos de alta potencia, inversores y otros equipos. ¡Consulta Aquí y descubre cómo nuestros transistores pueden impulsar el éxito de tus creaciones!.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Matrícula:IHW20N120R3
- Encapsulado: TO-247
- Tipo: IGBT
- Voltaje:
- VCEO: 1200V
- Corriente:
- IC: 20A
- Colector Pico: 60A
- Disipación total del dispositivo (Pc): 208W
- Montaje: THT
- Pines: 3
- Temperatura de trabajo: -40°C a 150°C
- Dimensiones: 40.93 mm x 15.8 mm x 4.72 mm
- Peso: 5.96 g
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
SUSTITUTO
- Similares: IHW40N120H3
Nota: Los siguientes IC son recomendaciones de sustitutos, recuerde siempre revisar el Datasheet de estos para confirma que son adecuado a sus requerimientos.
INFORMACIÓN ADICIONAL
Recomendaciones de Uso
- El IHW20N120R3 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
- Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.
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