TCC1206COG470J102DT Capacitor Cerámico 1206 47pF 1000V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 2.00.
1206L260SLTHYR Fusible Reseteable 6V 5A SMD 1206 El precio original era: $ 13.00.El precio actual es: $ 13.00.
Argon One Pi 4 V2 Carcasa de Aluminio El precio original era: $ 827.00.El precio actual es: $ 827.00.
Bast WiFi ESP32 IoT El precio original era: $ 379.00.El precio actual es: $ 379.00.
HT1621M IC SMD El precio original era: $ 12.00.El precio actual es: $ 12.00.
NSR0240HT1G Schottky 40V 250mA SMD El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 6.00.
0805B221K500NT Capacitor Cerámico 0805 220pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 2.00.
CL31A107MQHNNNE Capacitor Cerámico 1206 100uF 6.3V El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 8.00.

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P(2)

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P pinout

IRF9640 Transistor MOSFET 200V 11A Canal P

$ 15.00

270 disponibles

Cantidad	Precio
25 - 99	$ 11.97
100 - 199	$ 10.43
200+	$ 8.29

SKU: AR0245 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: AR0245, cable jumper, canal p, IRF, IRF9640, led, mosfet, Mosfet de Potencia, optoacoplador, to-220, transistor

INFORMACIÓN

Transistor IRF9640 es un transistor MOSFET de Potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo P, 3 pines y un encapsulado TO220, con capacidad de manejar energía de -200V y -11A.

Transistor IRF9640 son de conmutación rápida, tiene una resistencia de encendido baja y alta rentabilidad lo que los hace útiles para aplicaciones de regulación de conmutación, conversión de conmutación, control de motores, relés y conmutación bipolar de alta potencia.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Matrícula: IRF9640
Encapsulado: TO-220
Pines: 3 pines
Estilo de montaje: Through Hole
Voltaje:
- Umbral V_GS(th): -4V
- Máximo Drenaje a Fuente V_DSS: -200V
- Fuente Máxima V_GS: ±20V_DC
Corriente Máxima de Drenaje ID: -11A
Resistencia de Encendido R_DS(on): 0.50 Ω
Capacidad de conmutación:
- Turn-On Delay Time: 14ns
- Turn-Off Delay Time: 39ns
Capacidad de disipación de Potencia P_D: 125W
Temperatura de Operación T_J: -55° a 150°C
Carga de compuerta (Qg): 44 nC
Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
Peso: 2 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Tipos de Transistores FE

Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.Mosfet Tipo de Empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio cd. La diferencia principal entre los dos es que los mosfet tipo empobrecimiento permite puntos de operación con valores positivos de VGs y niveles de ID mayores que IDSS.Los mosfet de enriquecimiento pueden ser un dispositivo tanto de canal n (nMOS) como canal p (pMOS). El circuito equivalente de señal pequeña de ca de cualquier de los dos dispositivos.

¿Cómo verificar un transistor Mosfet?

En la función de diodos del multímetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del multímetro, en el terminal Drain y (+) en el terminal Source.
Resultado de la prueba:
Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados varían según el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito

¿Cómo Funciona un transistor Mosfet?

El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.