INFORMACI脫N
IRLB3034 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220AB, con capacidad de manejar energ铆a de 40V y 195A. El IRLB3034 es un transistor de potencia as铆 como de alto rendimiento y baja frecuencia. Este transistor es eficiente en la amplificaci贸n o conmutaci贸n de se帽ales electr贸nicas, en drivers para motores DC, por mencionar algunos.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS
- Tipo: Transistor MOSFET
- Serie: IRLB3034
- Encapsulado: TO-220AB
- Pines: 3
- Canal: 1 N-Channel
- Montaje: THT Through Hole
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): 40V
- Corriente de drenaje ID (@25掳C) m谩x: 195A (Package Limit)
- Voltaje compuerta-fuente (VGS(th)): 1.75V a 2.5V
- Disipaci贸n de potencia (Pd): 375W (Requiere disipador de calor)
DOCUMENTACI脫N Y RECURSOS
INFORMACI脫N ADICIONAL
驴C贸mo funciona un transistor MOSFET?
Los MOSFET son transistores que act煤a como聽 interruptor controlado por tensi贸n. Al aplicar tensi贸n conduce y cuando no hay tensi贸n en la puerta no conduce, es decir, el voltaje aplicado a la puerta (Gate) permite hacer que fluya o no corriente entre drenador (Drain) y fuente (Source), existen de dos tipos dependiendo el semiconductor con el que fue fabricado (tipo N o P) que se llama sustrato.
Sobre este semiconductor se funden el聽sumidero y el drenaje聽(entrada y salida) que es un聽semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.
El MOSFET controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicaci贸n de una tensi贸n (con un valor m铆nimo llamada tensi贸n umbral) en el terminal llamado puerta (gate).
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