IRLB3034 Transistor MOSFET 40V 195A Canal N

INFORMACIÓN

IRLB3034 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220AB, con capacidad de manejar energía de 40V y 195A. El IRLB3034 es un transistor de potencia así como de alto rendimiento y baja frecuencia. Este transistor es eficiente en la amplificación o conmutación de señales electrónicas, en drivers para motores DC, por mencionar algunos.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

• Tipo: Transistor MOSFET
• Serie: IRLB3034
• Encapsulado: TO-220AB
• Pines: 3
• Canal: 1 N-Channel
• Montaje: THT Through Hole
• Voltaje drenaje-fuente (Vds): 40V
• Corriente de drenaje ID (@25°C) máx: 195A (Package Limit)
• Voltaje compuerta-fuente (VGS(th)): 1.75V a 2.5V
• Disipación de potencia (Pd): 375W (Requiere disipador de calor)

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DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet- IRLB3034
• Pinout
• Footprint
• Modelo 3D

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INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Cómo funciona un transistor MOSFET?

Los MOSFET son transistores que actúa como  interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce, es decir, el voltaje aplicado a la puerta (Gate) permite hacer que fluya o no corriente entre drenador (Drain) y fuente (Source), existen de dos tipos dependiendo el semiconductor con el que fue fabricado (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.

El MOSFET controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate).

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ENLACES EXTERNOS

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