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TLC5510INSR IC SMD ADC El precio original era: $ 67.00.El precio actual es: $ 35.22.
RS-05K6803FT Resistor 680K Ohms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.
Matriz de 4x4 Push Buttons El precio original era: $ 37.00.El precio actual es: $ 17.88.
Dimmer Capacitivo por PWM El precio original era: $ 37.00.El precio actual es: $ 18.30.
CC0805JRNPO9BN470 Capacitor Cerámico 0805 47pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
1SMA5913BT3G Zener 3.3V 1.5W SMA El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 2.56.
0805W8J0106T5E Resistor 10MOhms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.

Transistor IRF640

Transistor IRF640

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SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg

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