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Mini Interruptor de Carrera Semicircular SPDT 5A 125V/250V El precio original era: $ 15.00.El precio actual es: $ 9.00.
AT24CM02-SSHD-B IC SMD EEPROM El precio original era: $ 123.00.El precio actual es: $ 123.00.
LED Bicolor 5mm KY-011 El precio original era: $ 15.00.El precio actual es: $ 15.00.
Brazo Robótico de Acrílico El precio original era: $ 311.00.El precio actual es: $ 311.00.
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Socket PYF11A para Relevador Omron El precio original era: $ 101.72.El precio actual es: $ 64.00.
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CH9102F USB a UART C2858418 El precio original era: $ 56.00.El precio actual es: $ 56.00.

Transistor IRF640

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Cantidad	Precio
25 - 99	$ 7.93
100 - 199	$ 6.71
200+	$ 5.13

SKU: AR0828 Categoría: TRANSISTORES

INFORMACIÓN

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Encapsulado: TO-220
3 pines

DOCUMENTACIÓN

Peso	0.002 kg
Dimensiones	1.04 × 2.9 × 0.4 cm

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