Fuente de Conmutada 60V 10A El precio original era: $ 600.00.El precio actual es: $ 556.06.
Mosfet IRLML6402TRPBF El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.74.
RKB2-SJM-250-SMTR-LFS Mini Botón Blanco El precio original era: $ 10.00.El precio actual es: $ 7.00.
CM15MD-24H Modulo de IGBT 15A 1200V El precio original era: $ 1,446.00.El precio actual es: $ 1,138.50.
Módem 4G LTE Para Bandas en Extranjero (No Funciona en México) El precio original era: $ 398.00.El precio actual es: $ 135.00.
Resistencia 1.5Ω 1/4 W ± 1% El precio original era: $ 3.00.El precio actual es: $ 0.40.
Resistor 22 ohm 1/4w SMD 0603 CRGP0603F22R El precio original era: $ 0.80.El precio actual es: $ 0.32.
ATMLH032 02B SOP8 SMD El precio original era: $ 45.00.El precio actual es: $ 23.45.
Capacitor Cerámico 471pF El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.50.
Inductor de Ferrita 33uH 330 5.1A SMD El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 8.00.
Resistencia de 1.5 Ohms 5% 1/4W El precio original era: $ 0.30.El precio actual es: $ 0.10.
Amplificador de Audio TPA3116 30W Doble Canal El precio original era: $ 149.00.El precio actual es: $ 99.59.
Sensores Si7021 / DS18B20 $ 71.76 – $ 86.40
Socket PYF11A para Relevador Omron El precio original era: $ 101.72.El precio actual es: $ 64.00.
Conn Shrouded Header (3 Sides) HDR El precio original era: $ 12.93.El precio actual es: $ 9.75.

IRF530 Mosfet de Potencias 14A 100V Canal N pinout

IRF530 Mosfet de Potencia 14A 100V Canal N TO-220

Name: IRF530 Mosfet de Potencia 14A 100V Canal N TO-220
SKU: AR3760
Price: 10.00 MXN
Availability: InStock

$ 10.00

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SKU: AR3760 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: 100V, 14A, canal n, IRF, IRF530, mosfet, Mosfet de Potencia, to-220

Descripción
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INFORMACIÓN

El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.

El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes encontrar más MOSFET dando clic Aquí.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Matrícula: IRF530
Encapsulado: TO-220
Pines: 3 pines
Estilo de montaje: Through Hole
Voltaje:
- Umbral V_GS(th): 2.9V
- Máximo Drenaje a Fuente V_DSS: 100V
- Fuente Máxima V_GS: ±20V_DC

Corriente Máxima de Drenaje I_D: 14A
Resistencia de Encendido R_DS(on):0.098 Ω
Capacidad de conmutación:

- Turn-On Delay Time: 9ns
- Turn-Off Delay Time: 33ns

Capacidad de disipación de Potencia P_D: 78W
Temperatura de Operación T_J: -55° a 150°C
Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
Peso de la unidad: 2g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Qué es un MOSFET de potencia?

Su nombre viene del término Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor = transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. Es un componente electrónico compuesto de tres terminales (Source, Gate y Drain), un Contacto óhmico de tipo P o N podo dopado y una capa de Oxido de Silicio que impide el paso de corriente a través de ella; este tipo de transistores son ampliamente utilizados para el control control de potencia debido a sus excelentes características de conmutación y control.

¿Cuál es su funcionamiento básico?

Se basa en la estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato semiconductor es de tipo P poco dopado, a ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n fuertemente dopado (n⁺), como se puede ver el en el siguiente diagrama:

De igual manera se puede observar que debajo te la terminal Gate (G) existe una capa de óxido de silicio la cual impide el paso de corriente a través de ella. Sin embargo cuando se aplica un voltaje positivo en la terminal G de un MOSFET tipo N se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo atrae a los electrones hacia la superficie bajo la capa de óxido. En caso que el campo creado sea muy intenso se logra crear una región muy rica en electrones, a esta región se le denomina Canal N y es a través de ella que se permite el paso de corriente de la terminal Source (F) hacia la terminal Drain (D).