Mosfet N 600v 1A SMD 1N60G-AA3-R

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Transistor Mosfet N
• Tipo de FET: Canal N
• SMD/SMT
• Paquete: SOT-223
• Voltaje de drenaje (Vdss): 600V
• Corriente drenaje (Id): 1A
• Vgs (th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250uA
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ω @ 500mA,10V
• Potencia de disipación: 8W
• RoHS: Libre de plomo

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet
• Footprint