INFORMACIÓN
El IRFB3607 funciona como un transistor MOSFET de potencia de Canal N, el cual facilita las aplicaciones de conmutación de alta corriente y ofrece una baja resistencia de encendido. Además, cuenta con un encapsulado TO-220 (Through Hole), soportando un voltaje de Drenaje-Fuente de 75V y una excelente corriente continua máxima de hasta 80A.
Por consiguiente, los desarrolladores emplean este transistor frecuentemente en inversores, fuentes de alimentación, control de motores DC, sistemas automotrices y sistemas de gestión de energía. De hecho, su alta eficiencia y excelente capacidad para manejar cargas pesadas aseguran un rendimiento óptimo en todo tipo de proyectos. Puedes encontrar más Transistores MOSFET dando clic Aquí.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
- Matrícula: IRFB3607
- Tipo de transistor: MOSFET de Potencia
- Polaridad / Canal: N (N-Channel)
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje Drenaje-Fuente (Vdss): 75V
- Corriente Continua de Drenaje (Id): 80A
- Pines: 3 pines (Gate, Drain, Source)
- Estilo de montaje: Through Hole (THT)
DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS
INFORMACIÓN ADICIONAL
¿Qué es un Transistor MOSFET?
El transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) opera como un dispositivo semiconductor que permite la conmutación y amplificación de señales. Por un lado, la corriente regula a los transistores BJT clásicos; sin embargo, el voltaje controla directamente a los MOSFET. Por esta razón, estos componentes resultan ideales para circuitos digitales y de potencia que exigen alta velocidad y generan una baja pérdida de energía.
Aplicaciones de los transistores MOSFET de potencia:
- Control de velocidad en motores DC de alta potencia
- Convertidores DC-DC y fuentes conmutadas (SMPS)
- Sistemas de inversores (DC a AC)
- Sistemas automotrices y de automatización industrial

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