UNIT Tarjeta de Referencia GPIO Para Raspberry Pi B El precio original era: $ 12.00.El precio actual es: $ 8.00.
CH340G IC Transceptor SMD El precio original era: $ 26.00.El precio actual es: $ 23.00.
2SD965A Transistor NPN 5A 30V El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.55.
Sensor Emisor Infrarrojo IR KY-005 El precio original era: $ 21.00.El precio actual es: $ 17.00.
Capacitor Electrolítico 4.7uF 100V SMD El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.59.
HT1622 IC SMD El precio original era: $ 48.00.El precio actual es: $ 19.28.
Ventilador 4010 12V / 24V DC 40x40x10mm Rango de precios: desde $ 32.00 hasta $ 110.00
Tira Hembra Header 2.0 mm Rango de precios: desde $ 6.00 hasta $ 15.00

Transistor IRF740

$ 11.00

317 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 8.45
100 piezas	$ 7.17
200 piezas	$ 5.50

SKU: AR0244 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: AR0244, mosfet, optoacoplador, transistor

INFORMACIÓN

¿Qué es?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

¿Para qué es?
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
Hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operaciones.

¿Cómo Funciona?
Los transistores Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria
El IRF740 es un MOSFET de potencia de canal N de 400 V, el MOSFET de potencia son la tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

Especificaciones técnicas

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 63 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1450 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
3 pines
Peso: 2 g

Tutoriales

Documentación y recursos

Hoja de datos
Diagrama de conexiones
Footprint
Modelo 3D

Datos adicionales

¿Qué es un Transistor mosfet?
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. … Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

¿Para qué se utiliza un MOSFET?
Estos dispositivos se utilizan en la conmutación de cargas de alta velocidad, dado su tiempo de respuesta mínimo. Se utilizan para el control digital de cargas de mayor corriente y mayor voltaje que los valores nominales que puede soportar un microcontrolador

¿Cómo medir un Transistor Mosfet?
Con una resistencia de 100k entre G y D y un multimetro analógico en función de ohm. Colocas las puntas entre S y D +=D y -= S y fíjate que la resistencia marcada por el ohm. es de bajo valor, esta condicion sera aun y cuando la resistencia sea retirda del circuito, en el momento en que la resistencia la coloques entre los terminales S y G el transistor se commutara al estado de corte; y debido a que la corriente dejara de circular, la resistencia leida sera infinito