INFORMACIÓN
El 2N7000 es un Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N de efecto de campo con encapsulado TO-92 de 3 pines. Este transistor está fabricado con tecnología DMOS (metal-óxido semiconductor de doble difusión) de alta densidad. Esta diseñado para conmutación rápida de cargas que operan con menos de 60 V (VDS) y 200 mA (ID), también proporciona un rendimiento de conmutación robusto, rápido y fiable.
El 2N7000 Transistor Mosfet 60V 200mA Canal N son útiles en diversas aplicaciones de conmutación de señales eléctricas de baja tensión y baja corriente, como por ejemplo para el control de pequeños servomotores, controladores de puerta MOSFET y otras aplicaciones de conmutación.
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
- Serie: 2N7000
- Tipo de transistor: MOSFET
- Estilo de montaje: Through Hole
- Paquete / Cubierta: TO-92-3
- Polaridad del transistor: Canal N
- Número de canales: 1 Canal
- Voltaje de Drenaje a Fuente Vds: 60V
- Corriente Continua de Drenaje Id: 200mA
- Resistencia de Activación Rds(on): 5 Ohms
- Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
- Disipación de Potencia Pd: 400mW
- Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
- Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
- Altura: 5.33 mm
- Longitud: 5.2 mm
- Ancho: 4.19 mm

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