NodeMCU Rectangular / Base Shield NodeMCU Rango de precios: desde $ 49.00 hasta $ 81.00
BDW93C Transistor NPN 100V 12A TO-220 El precio original era: $ 28.00.El precio actual es: $ 22.00.
Separador de Latón M3 Rango de precios: desde $ 3.00 hasta $ 12.00
Resistencia de Aluminio 10W ΩJ Rango de precios: desde $ 25.00 hasta $ 32.00
0603N4R7C500CT Capacitor Cerámico 0603 4.7pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.77.
S2A Diodo 50V 2A SMB $ 8.00
KF2EDG Bornera de Enchufable Hembra 3.81mm Rango de precios: desde $ 7.00 hasta $ 23.00
SMD0603-020 Fusible Reseteable 9V 500mA SMD 0603 El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.47.

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA - Imagen 2

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA - Imagen 3

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA - Imagen 4

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA - Imagen 5

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA - Imagen 6

BS170 Transistor Mosfet 60V 500mA

$ 13.00

247 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 9.99
100 piezas	$ 8.54
200 piezas	$ 6.63

SKU: AR2735 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: 2N7000, 2N7002, 500 mA, 60V, AR2735, BS170, canal n, FET, IRFZ44, mosfet, TO-92, transistor

INFORMACIÓN

El BS170 es un transistor de efecto de campo canal N MOSFET , 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, teniendo alta capacidad a corriente de saturación y funcionando como interruptor de señal pequeña controlado por voltaje. El BS170 es útil para el control de servomotores pequeños, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.

ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS

Canal: Un canal N
Tipo: FET
Corriente de Drenaje: 500 mA
Resistencia en edo. conductor: 1.2Ω
Voltaje
- Gate-Source: +/- 20V
- Drain-Gate: 60V
- Drain-Source: 60V
Temperatura de Trabajo: -55°C a 150°
Diseño: TO-93

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Reemplazo o equivalente

Este transistor puede reemplazar a : 2N7000, 2N7002, IRFZ44, favor de revisar el pinout de cada uno de los reemplazos antes de realizar algún tipo de conexión.