Disipadores de Calor Cuadrados Rango de precios: desde $ 3.00 hasta $ 7.00
UNO R4 Placa de Desarrollo USB Tipo C WiFi ESP32 / Mínima Rango de precios: desde $ 235.00 hasta $ 331.00
FN18N150J500PSG Capacitor Cerámico 0603 15pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.33.
0805W8F100JT5E Resistor 10 Ohms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.35.
0603B222K500NT Capacitor Cerámico 0603 2.2nF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.14.
MMBT200 Transistor PNP 500mA 45V $ 6.00
Capacitor Electrolítico 47uF 6.3V SMD El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 1.25.
PBS-11B Push Button Enclavable Rango de precios: desde $ 11.00 hasta $ 12.00

IRLB3034 Transistor MOSFET 40V 195A Canal N

$ 16.00

32 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 14.30
25 piezas	$ 12.96
35 piezas	$ 11.85

SKU: AR0865 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: AR0865, IRLB3034, mosfet, to-220, TO-220AB, transistor, Transistor Mosfet

INFORMACIÓN

IRLB3034 es un transistor MOSFET por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, es de un 1 canal tipo N, tiene 3 pines y un encapsulado TO-220AB, con capacidad de manejar energía de 40V y 195A. El IRLB3034 es un transistor de potencia así como de alto rendimiento y baja frecuencia. Este transistor es eficiente en la amplificación o conmutación de señales electrónicas, en drivers para motores DC, por mencionar algunos.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Serie: IRLB3034
Encapsulado: TO-220AB
Pines: 3
Canal: 1 N-Channel
Montaje: THT Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (Vds): 40V
Corriente de drenaje ID (@25°C) máx: 195A (Package Limit)
Voltaje compuerta-fuente (VGS(th)): 1.75V a 2.5V
Disipación de potencia (Pd): 375W (Requiere disipador de calor)

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Cómo funciona un transistor MOSFET?

Los MOSFET son transistores que actúa como interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce, es decir, el voltaje aplicado a la puerta (Gate) permite hacer que fluya o no corriente entre drenador (Drain) y fuente (Source), existen de dos tipos dependiendo el semiconductor con el que fue fabricado (tipo N o P) que se llama sustrato.

Sobre este semiconductor se funden el sumidero y el drenaje (entrada y salida) que es un semiconductor contrario al semiconductor usado para el sustrato.

Diagrama de MOSFET Canal N y P

El MOSFET controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate).