Resistencia de 1.5 Ohms 5% 1/4W El precio original era: $ 0.30.El precio actual es: $ 0.05.
Sensor IR Ranura SMD GP1S092HCPIF El precio original era: $ 22.00.El precio actual es: $ 11.72.
SP16 Conectores de Aviación Macho con Tuerca Hembra Rango de precios: desde $ 86.00 hasta $ 96.00
0805CG4R7C500NT Capacitor Cerámico 0805 4.7pF 50V El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.19.
0603L075SLYR Fusible Reseteable 6V 1.5A SMD 0603 El precio original era: $ 11.00.El precio actual es: $ 5.00.
TCC1206X7R225K500FT Capacitor Cerámico 1206 2.2uF 50V El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 1.27.
Polea Doble GT2 20 Dientes 2GT 8mm El precio original era: $ 31.00.El precio actual es: $ 25.00.
BD911 Transistor NPN de Potencia 100V 15A TO-220C $ 15.00

2SC5570 Transistor NPN 800V 28A TO-3PL

$ 56.00

180 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 51.18
25 piezas	$ 47.77
35 piezas	$ 44.78

SKU: AR3937 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: 28A, 2SC5570, Bipolar Transistors, BJT, NPN, potencia, TO-3PL, Transistor de potencia, Transistor npn

INFORMACIÓN

El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN fabricado por SPTECH. Se caracteriza por tener un alto voltaje de ruptura colector-emisor (800V), con alta velocidad de conmutación. Este transistor está diseñado para aplicaciones de salida de desviación horizontal.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Matrícula: 2SC5570
Tipo: NPN
Encapsulado: TO-3PL
Montaje: Through Hole THT
Pines: 3
Voltaje
- Colector-emisor (VCEO): 800V
- Colector-base (VCBO): 1700V
- Emisor-base: 6V
Corriente del colector continua (IC): 28A
Alta velocidad de conmutación
Disipación de energía (Pc): 220W
Peso: 10g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Recomendaciones de Uso:

El 2SC5570 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.