TCC1206X7R472K102FT Capacitor Cerámico 1206 4.7nF 1000V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.41.
Capacitor Cerámico 0805 4.7uF 25V CL21A475KAQNNNE El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.28.
Placa Perforada PCB una Cara Rango de precios: desde $ 8.00 hasta $ 48.00
UNO R4 Placa de Desarrollo USB Tipo C WiFi ESP32 / Mínima Rango de precios: desde $ 235.00 hasta $ 331.00
Lámpara de Escritorio con Aumento Negro o Blanco $ 408.00
Clip Pin Universal de IC El precio original era: $ 257.00.El precio actual es: $ 231.00.
UNIT CH340E Módulo USB a TTL El precio original era: $ 34.00.El precio actual es: $ 31.00.
SSSS812201 Interruptor SMD El precio original era: $ 13.00.El precio actual es: $ 4.28.

2SC5570 Transistor NPN 800V 28A TO-3PL

$ 56.00

180 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 51.18
25 piezas	$ 47.77
35 piezas	$ 44.78

SKU: AR3937 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: 28A, 2SC5570, Bipolar Transistors, BJT, NPN, potencia, TO-3PL, Transistor de potencia, Transistor npn

INFORMACIÓN

El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN fabricado por SPTECH. Se caracteriza por tener un alto voltaje de ruptura colector-emisor (800V), con alta velocidad de conmutación. Este transistor está diseñado para aplicaciones de salida de desviación horizontal.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Matrícula: 2SC5570
Tipo: NPN
Encapsulado: TO-3PL
Montaje: Through Hole THT
Pines: 3
Voltaje
- Colector-emisor (VCEO): 800V
- Colector-base (VCBO): 1700V
- Emisor-base: 6V
Corriente del colector continua (IC): 28A
Alta velocidad de conmutación
Disipación de energía (Pc): 220W
Peso: 10g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Recomendaciones de Uso:

El 2SC5570 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.