BS816A-1 IC SMD Sensor Táctil El precio original era: $ 51.00.El precio actual es: $ 21.54.
MJE13007 Transistor NPN 400V 8A TO-220C El precio original era: $ 16.00.El precio actual es: $ 13.00.
STM32F405RGT6 MCU Arm Cortex-M4 168MHz LQFP-64 El precio original era: $ 415.00.El precio actual es: $ 374.00.
LM317D2T-TR Regulador 1.2V a 37V 1.5A SMD El precio original era: $ 22.00.El precio actual es: $ 11.54.
Optoacoplador a Transistor 2 Canales SMD TLP521-2GBSM El precio original era: $ 17.00.El precio actual es: $ 8.73.
0805W8F5603T5E Resistor 560K Ohms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.12.
2SA1386 Transistor PNP -160V -15A El precio original era: $ 24.00.El precio actual es: $ 19.00.
BSS214NH6327XTSA1 Mosfet N 20v 1.5A SMD El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 2.94.

2SC5570 Transistor NPN 800V 28A TO-3PL

$ 56.00

180 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 51.18
25 piezas	$ 47.77
35 piezas	$ 44.78

SKU: AR3937 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: 28A, 2SC5570, Bipolar Transistors, BJT, NPN, potencia, TO-3PL, Transistor de potencia, Transistor npn

INFORMACIÓN

El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN fabricado por SPTECH. Se caracteriza por tener un alto voltaje de ruptura colector-emisor (800V), con alta velocidad de conmutación. Este transistor está diseñado para aplicaciones de salida de desviación horizontal.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Matrícula: 2SC5570
Tipo: NPN
Encapsulado: TO-3PL
Montaje: Through Hole THT
Pines: 3
Voltaje
- Colector-emisor (VCEO): 800V
- Colector-base (VCBO): 1700V
- Emisor-base: 6V
Corriente del colector continua (IC): 28A
Alta velocidad de conmutación
Disipación de energía (Pc): 220W
Peso: 10g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Recomendaciones de Uso:

El 2SC5570 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.