IRF530 Mosfet de Potencia 14A 100V Canal N TO-220

INFORMACIÓN

El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.

El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes encontrar más MOSFET dando clic Aquí.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Tipo: Transistor MOSFET
• Matrícula: IRF530
• Encapsulado: TO-220
• Pines: 3 pines
• Estilo de montaje: Through Hole
• Voltaje:
  • Umbral V_GS(th): 2.9V
  • Máximo Drenaje a Fuente V_DSS: 100V
  • Fuente Máxima V_GS: ±20V_DC

• Corriente Máxima de Drenaje I_D: 14A
• Resistencia de Encendido R_DS(on):0.098 Ω
• Capacidad de conmutación:

• • Turn-On Delay Time: 9ns
  • Turn-Off Delay Time: 33ns

• Capacidad de disipación de Potencia P_D: 78W
• Temperatura de Operación T_J: -55° a 150°C
• Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
• Peso de la unidad: 2g

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DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet
• Pinout
• ¿Qué es un MOSFET? – UNIT Electronics

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INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Qué es un MOSFET de potencia?

Su nombre viene del término Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor = transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. Es un componente electrónico compuesto de tres terminales (Source, Gate y Drain), un Contacto óhmico de tipo P o N podo dopado y una capa de Oxido de Silicio que impide el paso de corriente a través de ella; este tipo de transistores son ampliamente utilizados para el control control de potencia debido a sus excelentes características de conmutación y control.

¿Cuál es su funcionamiento básico?

Se basa en la estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato semiconductor es de tipo P poco dopado, a ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n fuertemente dopado (n⁺),  como se puede ver el en el siguiente diagrama:

De igual manera se puede observar que debajo te la terminal Gate (G) existe una capa de óxido de silicio la cual impide el paso de corriente a través de ella. Sin embargo cuando se aplica un voltaje positivo en la terminal G de un MOSFET tipo N se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo atrae a los electrones hacia la superficie bajo la capa de óxido. En caso que el campo creado sea muy intenso se logra crear una región muy rica en electrones, a esta región se le denomina Canal N y es a través de ella que se permite el paso de corriente de la terminal Source (F) hacia la terminal Drain (D).

Aplicaciones de los MOSFET:

• Amplificación de Señales de Baja Potencia
• Conmutación de Carga en Fuentes de Alimentación
• Control de Motores
• Inversores y Convertidores de CC a CA
• Conmutación de Cargas de Iluminación
• Control de Pantallas Táctiles
• Protección contra Sobretensiones
• Conversión de Nivel Lógico
• Conmutación de Cargas en Circuitos de Conmutación Rápida
• Reguladores de Tensión y Corriente Constante

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ENLACES EXTERNOS

• Electrónica Práctica Aplicada – El Transistor MOSFET