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IRF530 Mosfet de Potencias 14A 100V Canal N pinout

IRF530 Mosfet de Potencia 14A 100V Canal N TO-220

$ 14.00

336 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
25 piezas	$ 11.12
100 piezas	$ 9.63
200 piezas	$ 7.58

SKU: AR3760 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: 100V, 14A, canal n, IRF, IRF530, mosfet, Mosfet de Potencia, to-220

INFORMACIÓN

El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.

El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes encontrar más MOSFET dando clic Aquí.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Matrícula: IRF530
Encapsulado: TO-220
Pines: 3 pines
Estilo de montaje: Through Hole
Voltaje:
- Umbral V_GS(th): 2.9V
- Máximo Drenaje a Fuente V_DSS: 100V
- Fuente Máxima V_GS: ±20V_DC

Corriente Máxima de Drenaje I_D: 14A
Resistencia de Encendido R_DS(on):0.098 Ω
Capacidad de conmutación:

- Turn-On Delay Time: 9ns
- Turn-Off Delay Time: 33ns

Capacidad de disipación de Potencia P_D: 78W
Temperatura de Operación T_J: -55° a 150°C
Dimensiones: 10.2 mm x 15.80 mm x 4.30 mm
Peso de la unidad: 2g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

¿Qué es un MOSFET de potencia?

Su nombre viene del término Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor = transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. Es un componente electrónico compuesto de tres terminales (Source, Gate y Drain), un Contacto óhmico de tipo P o N podo dopado y una capa de Oxido de Silicio que impide el paso de corriente a través de ella; este tipo de transistores son ampliamente utilizados para el control control de potencia debido a sus excelentes características de conmutación y control.

¿Cuál es su funcionamiento básico?

Se basa en la estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato semiconductor es de tipo P poco dopado, a ambos lados de la interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n fuertemente dopado (n⁺), como se puede ver el en el siguiente diagrama:

De igual manera se puede observar que debajo te la terminal Gate (G) existe una capa de óxido de silicio la cual impide el paso de corriente a través de ella. Sin embargo cuando se aplica un voltaje positivo en la terminal G de un MOSFET tipo N se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo atrae a los electrones hacia la superficie bajo la capa de óxido. En caso que el campo creado sea muy intenso se logra crear una región muy rica en electrones, a esta región se le denomina Canal N y es a través de ella que se permite el paso de corriente de la terminal Source (F) hacia la terminal Drain (D).