IRFP460PBF Transistor MOSFET Canal N 20A 500V TO-247

INFORMACIÓN

El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones que requieren manejar altos voltajes y corrientes considerables. Está diseñado para ofrecer una combinación de 500 V de tensión máxima drenador-fuente, 20 A de corriente continua y una potencia de disipación elevada. Su encapsulado TO-247AC permite utilizar disipadores de calor de gran tamaño, por lo que es adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

• Tipo: MOSFET de potencia 
• Tipo de Canal: Canal N
• Matrícula: IRFP460PBF
• Encapsulado: TO-247AC.
• Voltaje Drenaje-Fuente (Vdss): 500V
• Corriente de Drenaje Continua (Id): 20 A
• Resistencia en Encendido (Rds): 0.27 Ω
• Voltaje Compuerta-Fuente (Vgs): ±20 V
• Voltaje de Umbral de Compuerta (Vgs(th)): 2 a 4 V
• Disipación de potencia máxima (Pd): 300W
• Temperatura de Trabajo:-55°C a 150 °C
• Dimensiones: 15.6 x 20.2 x 5 mm
• Peso: 5.42 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet
• Pinout

INFORMACIÓN ADICIONAL

Aplicaciones Comunes

Gracias a su capacidad de aislamiento de 500V y corriente de 20A, es muy común en:

• Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS) de Alta Tensión: Etapas de conmutación primaria en fuentes ATX, cargadores industriales y servidores conectados a la red de 110V/220V AC rectificada.
• Amplificadores de Audio de Gran Potencia (Clase D / Car Audio): Inversores de voltaje y amplificadores de potencia donde se requieren conmutaciones limpias.
• Bobinas de Tesla (SSTC / DRSSTC) y Generadores de Alta Frecuencia: Conmutación rápida para generadores de alto voltaje y experimentos de laboratorio.
• Inversores Fotovoltaicos y UPS: Conmutación de puentes H para elevadores DC-DC o etapas finales DC-AC.
• Calentadores e Inversores por Inducción: Control de potencia en tanques resonantes LC.

Recomendaciones para el Taller

• Disparo Obligatorio a 10V(VGS): Para asegurar que el transistor conduzca con la menor resistencia posible (0.27Ω), se debe aplicar un voltaje de 10 V a 12V entre Compuerta y Fuente. Nunca lo manejes directamente con pines de microcontrolador (3.3V o 5V); de hacerlo, entrará en zona lineal, se sobrecalentará rápidamente y se quemará.
• Carga de Compuerta Elevada (Qg = 210 nC): Debido a su alta carga de compuerta, si vas a conmutarlo a frecuencias elevadas (más de 20 kHz), es indispensable utilizar un circuito integrado controlador especializado (MOSFET Gate Driver como la serie IR2110) para inyectar y drenar la corriente de compuerta de manera rápida.
• Montaje Térmico: La parte trasera metálica del paquete TO-247 está unida al Drenador (Pin 2). Utiliza siempre grasa siliconada termoconductora, mica aislante y un buje plástico si el disipador metálico está expuesto o conectado al chasis del equipo.