UMK212ABJ225KG-T Capacitor Cerámico 0805 2.2uF 50V El precio original era: $ 4.00.El precio actual es: $ 0.86.
Conectores SH1.0mm Hembra Rango de precios: desde $ 0.50 hasta $ 1.00
2SD1047 Transistor NPN 140V 12A TO-3PN El precio original era: $ 30.00.El precio actual es: $ 21.00.
Mini Rueda Universal con Bola de Acero Rango de precios: desde $ 33.00 hasta $ 50.00
Disipadores de Calor 20x20mm / 25x25mm de Aluminio Negro Rango de precios: desde $ 13.00 hasta $ 14.00
Motor para DVD 5.9V RF-300FA-12350 El precio original era: $ 28.00.El precio actual es: $ 22.00.
ZVN3320FTA Mosfet N 200V 60mA SMD El precio original era: $ 10.00.El precio actual es: $ 2.86.
UT3N06G-AB3-R Mosfet N 60v 3A SMD El precio original era: $ 7.00.El precio actual es: $ 1.91.

2SC5570 Transistor NPN 800V 28A TO-3PL

$ 56.00

180 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 51.18
25 piezas	$ 47.77
35 piezas	$ 44.78

SKU: AR3937 Categoría: TRANSISTORES Etiquetas: 28A, 2SC5570, Bipolar Transistors, BJT, NPN, potencia, TO-3PL, Transistor de potencia, Transistor npn

INFORMACIÓN

El 2SC5570 es un transistor de potencia NPN fabricado por SPTECH. Se caracteriza por tener un alto voltaje de ruptura colector-emisor (800V), con alta velocidad de conmutación. Este transistor está diseñado para aplicaciones de salida de desviación horizontal.

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ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Matrícula: 2SC5570
Tipo: NPN
Encapsulado: TO-3PL
Montaje: Through Hole THT
Pines: 3
Voltaje
- Colector-emisor (VCEO): 800V
- Colector-base (VCBO): 1700V
- Emisor-base: 6V
Corriente del colector continua (IC): 28A
Alta velocidad de conmutación
Disipación de energía (Pc): 220W
Peso: 10g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Recomendaciones de Uso:

El 2SC5570 típicamente se instala en un disipador de calor debido a la disipación de potencia generada durante la operación.
Se debe tener en cuenta que estos valores son los máximos absolutos (voltaje, corriente y potencia), y operar el transistor dentro de esta gama no garantiza el funcionamiento óptimo ni la longevidad. Por lo general, se diseña un circuito para mantener el transistor dentro de un rango de operación más seguro y bien por debajo de estos límites máximos.