BDW93C Transistor NPN 100V 12A TO-220 El precio original era: $ 28.00.El precio actual es: $ 22.00.
PCF8591T/2,518 IC SMD ADC El precio original era: $ 107.00.El precio actual es: $ 48.10.
MMBD1501A Diodo 200V 200mA SMD El precio original era: $ 4.00.El precio actual es: $ 1.61.
Convertidores DC a DC 8-40V 12V/13.8V Rango de precios: desde $ 353.00 hasta $ 429.00
LED Rojo SMD 0805 NCD0805R1 El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 1.00.
Módulo Potenciómetro Codificador Rotativo Analógico/Digital Rango de precios: desde $ 25.00 hasta $ 43.00
RTT038200FTP Resistor 820 Ohms 1/10W 0603 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.15.
CL21C101JBANNNC Capacitor Cerámico 0805 100pF 50V El precio original era: $ 2.00.El precio actual es: $ 0.38.

NUEVO

SIHG20N50C Transistor MOSFET Canal N 500V 20A TO-247S

Pinouts-AR5424-SIHG20N50C-Transistor-MOSFET-Canal-N-500V-20A-TO-247S

SIHG20N50C Transistor MOSFET Canal N 500V 20A TO-247

$ 39.00

54 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 33.35
25 piezas	$ 29.19
35 piezas	$ 25.95

SKU: AR5424 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, TRANSISTORES Etiquetas: 2.0 V a 4.0 V, 20A, 500V, fuentes conmutadas, motores dc, SIHG20N50C, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, sistemas de iluminación de alta descarga, UPS

INFORMACIÓN

El SiHG20N50C es un transistor de potencia de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de Canal N, diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia en entornos de alto voltaje. Actúa como un interruptor controlado por voltaje. Cuando se aplica un voltaje positivo suficiente en la Puerta (Gate) respecto a la Fuente (Source), se crea un canal conductor que permite que la corriente fluya desde el Drenador (Drain) hacia la Fuente. Al retirar el voltaje de la puerta, el canal desaparece y el flujo de corriente se detiene.

Debido a su capacidad de manejar 500V y 20A, se utiliza principalmente en sistemas de conversión de energía.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET
Matrícula: SIHG20N50C
Encapsulado: TO-247
Pines: 3 pines
Estilo de montaje: THT
Voltaje Drenador-Fuente (Vds): 500 V
Corriente de Drenador Continua ( $I_D$ ): 20 A (a 25°C)
Resistencia en encendido ( $R_{DS(on)}$ ): ~0.270 Ω (máx.)
Voltaje Umbral de Puerta ( $V_{GS(th)}$ ): 2.0 V a 4.0 V
Carga de Puerta Total ( $Q_g$ ): Baja (optimizado para conmutación rápida)
Disipación de Potencia Máxima ( $P_D$ ): ~250 W (dependiendo del disipador)
Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
Dimensiones:34.28 x 15.48 x 4.95 mm
Peso: 4.85 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

TUTORIALES

¿Qué es un MOSFET? – UNIT Electronics

INFORMACIÓN ADICIONAL

Aplicaciones Comunes

Se utiliza principalmente en sistemas de conversión de energía:

Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS): Como interruptor principal en convertidores AC/DC.
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Para la etapa de inversión de potencia.
Correctores de Factor de Potencia (PFC): Para mejorar la eficiencia del consumo eléctrico en equipos industriales.
Control de Motores DC: En aplicaciones industriales que requieren voltajes elevados.
Balastros de Iluminación: Para sistemas de iluminación de alta descarga o LED industriales.

Precauciones y Advertencias de uso

Disipación Térmica: Con una carga de 20A, el componente generará mucho calor. Es obligatorio el uso de un disipador de calor adecuado y grasa térmica.
Protección de Puerta: El Gate es extremadamente sensible a la electricidad estática y a picos de voltaje. Se recomienda usar una resistencia en serie (Gate Resistor) y, en ocasiones, un diodo Zener de protección.
Voltaje de Puerta ( $V_{GS}$ ): Nunca excedas el límite de voltaje de la puerta (usualmente $pm$ 30V), ya que esto destruirá la capa de óxido interna del transistor.