STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220

INFORMACIÓN

El STP110N8F6 es un transistor de potencia de efecto de campo MOSFET de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren una alta eficiencia y un manejo robusto de corriente, ampliamente utilizado en aplicaciones de control y conmutación de potencia, como controladores de motores DC, fuentes de alimentación conmutadas, inversores, sistemas automotrices, reguladores de voltaje y etapas de potencia. Gracias a su rápida velocidad de conmutación y alta capacidad de corriente, es ideal para proyectos electrónicos de alta demanda energética.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Tipo: Transistor MOSFET canal N
• Matrícula: STP110N8F6
• Encapsulado: TO-220-3
• Pines: 3 pines
• Polaridad del transistor: N-Channel
• Número de canales: 1 Channel
• Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 80 V
• Corriente de drenaje continua: 100 A
• Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
• Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
• Disipación de potencia : 176 W
• Dimensiones: 29 mm x 10.2 mm x 4.4 mm
• Peso: 2 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

• Datasheet
• Pinout
• Dimensiones

INFORMACIÓN ADICIONAL

Aplicaciones

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Controladores de motores DC y PWM.
• Sistemas automotrices de 12V y 24V.
• Inversores y convertidores DC-DC.
• Etapas de potencia para amplificadores.
• Control de cargas de alta corriente.
• Sistemas de energía solar y baterías.
• Proyectos con microcontroladores y drivers MOSFET.

Precauciones al usar

• No exceder el voltaje máximo drenador-fuente (VDS).
• Utilizar disipador térmico cuando maneje corrientes elevadas.
• Evitar descargas electrostáticas (ESD), ya que la compuerta es sensible.
• Verificar la correcta polaridad antes de energizar el circuito.
• No operar sin una adecuada ventilación en aplicaciones de potencia.
• Asegurar un manejo correcto de la señal Gate para evitar calentamiento excesivo.
• Mantener pistas gruesas en PCB para corrientes altas.

Recomendaciones de uso

• Utilizar un driver MOSFET para mejorar la velocidad de conmutación.
• Colocar resistencias en Gate para evitar oscilaciones.
• Añadir diodos de protección en cargas inductivas como motores o relevadores.
• Emplear capacitores de desacoplo cerca de la alimentación.
• Diseñar una buena disipación térmica para aumentar la vida útil.
• Verificar siempre la corriente máxima y potencia disipada según la aplicación.
• Para control con Arduino o ESP32, comprobar que el voltaje de compuerta sea suficiente para saturar el MOSFET correctamente.