ATTINY85 Tarjeta de Desarrollo Kickstarted El precio original era: $ 88.00.El precio actual es: $ 70.00.
Oscilador 4MHz SMD HC-49SMD C04000J091 El precio original era: $ 8.00.El precio actual es: $ 3.63.
Amplificador de Audio TPA3116 30W Doble Canal El precio original era: $ 149.00.El precio actual es: $ 60.95.
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TIP29C Transistor NPN 100V 1A TO-220C El precio original era: $ 18.00.El precio actual es: $ 16.00.
KPS605DF Fuente de Alimentación de Laboratorio 60V 5A $ 1,901.00
100 Led Difuso 5mm (1 Color) Rango de precios: desde $ 25.38 hasta $ 35.00

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SVF23N50PN Transistor MOSFET Canal N - Imagen 2

SVF23N50PN Transistor MOSFET Canal N - Imagen 3

SVF23N50PN Transistor MOSFET Canal N - Imagen 4

SVF23N50PN Transistor MOSFET Canal N

$ 38.00

99 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 32.69
25 piezas	$ 28.93
35 piezas	$ 25.94

SKU: AR5294 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, MOSFETS Etiquetas: 23A, 280W, 500V, alta potencia, Balastos Electrónicos, canal n, Iluminación de Alta Potencia, Máquinas de Soldar, mosfet, Mosfet de Potencia, SMPS, SVF23N50PN, TO-3P, Transistor Mosfet, UPS

INFORMACIÓN

El SVF23N50PN es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado principalmente para aplicaciones de alta tensión y conmutación de potencia. Está especificado para soportar hasta 500 V entre Drain y Source y una corriente continua de hasta 23 A bajo las condiciones indicadas por el fabricante. Optimizada para obtener baja resistencia de conducción, buena capacidad de conmutación y resistencia a pulsos de avalancha. El encapsulado TO-3P lo hace especialmente apropiado para fuentes conmutadas, convertidores DC-DC, AC-DC e inversores y controladores PWM de motores.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERISTICAS

Tipo: MOSFET de potencia
Tipo de Canal: Canal N
Matrícula: SVF23N50PN
Encapsulado: TO-3P
Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 500V
Corriente de Drenaje Continua (Id): 23A
Resistencia en Encendido (Rds): 0.21Ω
Voltaje Compuerta-Fuente (Vgs): ±30 V
Voltaje de Umbral de Compuerta (Vgs(th)): 2 a 4 V
Disipación de potencia máxima (Pd): 280W
Temperatura de Trabajo: -55°C a 150 °C
Dimensiones: 15.6 x 39 x 5.2 mm
Peso: 5.42g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Aplicaciones Comunes

Por su capacidad de $500text{V} / 23text{A}$ y su empaque TO-3P, es muy utilizado en:

Fuentes de Alimentación Conmutadas (SMPS) de Alta Potencia: Etapas de potencia primaria en fuentes de servidores, computadoras de alto consumo y cargadores de baterías industriales conectadas a redes de 110V/220V AC rectificadas (aprox $approx 310text{V}$ DC).
Correctores del Factor de Potencia (PFC): Circuitos PFC activos de potencia media y alta para mejorar la eficiencia energética en aparatos electrónicos.
Inversores de Corriente (DC/AC) y Sistemas UPS: Conmutación de puentes H en sistemas fotovoltaicos o unidades de alimentación ininterrumpida.
Balastos Electrónicos e Iluminación de Alta Potencia: Control de alimentación para lámparas de descarga y arreglos LED industriales.
Máquinas de Soldar Inverter de Pequeña/Mediana Escala: Como transistor de conmutación en la etapa de alta frecuencia.

Recomendaciones de Taller y Reemplazos

Activación de Compuerta ( $V_{GS}$ ): Para asegurar que el transistor sature por completo y alcance su resistencia mínima de $0.23,Omega$ , aplica entre $10text{V}$ y $12text{V}$ en la compuerta. Nunca lo actives directamente con pines de $3.3text{V}$ o $5text{V}$ de un microcontrolador sin un Gate Driver previo.
Equivalentes y Reemplazos Cercanos: Es un equivalente técnico directo para otros MOSFETs populares de $500text{V}$ con corrientes similares, como el IRFP460 (20A / 500V) o el 23N50 de otros fabricantes (como Vishay o Fairchild/Onsemi).
Aislamiento: La carcasa trasera metálica está conectada internamente al Drenador (Pin 2). Si el disipador metálico de aluminio está montado sobre un chasis aterrizado a masa, recuerda interponer una mica aislante o pad de silicona y un buje plástico en el tornillo de fijación.

Limitaciones

También hay varios puntos que debes considerar:

No es Logic Level; la especificación de $R_{D S (o n)}$ se obtiene a 10 V de Gate.
Su $R_{D S (o n)}$ de aproximadamente 0.21 Ω genera pérdidas importantes cuando la corriente aumenta.
A corrientes elevadas requiere una buena solución térmica.
El diodo interno tiene un $t_{rr}$ de aproximadamente 578 ns, por lo que no es especialmente adecuado para todas las aplicaciones de muy alta frecuencia.
No debes utilizar los 23 A y 500 V simultáneamente como si fueran valores independientes máximos de operación; el límite real depende de la temperatura y de la disipación.
Para conmutación rápida conviene utilizar un driver de compuerta en lugar de manejarlo directamente desde un microcontrolador.