0805W8F5603T5E Resistor 560K Ohms 1/8W 0805 SMD El precio original era: $ 1.00.El precio actual es: $ 0.12.
AT24C64D-SSHM-T IC SMD EEPROM El precio original era: $ 40.00.El precio actual es: $ 23.97.
Conector JST SR 4 Pines Horizontal SM04B-SRSS-TB(LF)(SN) El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 2.10.
NSR0240HT1G Schottky 40V 250mA SMD El precio original era: $ 6.00.El precio actual es: $ 2.55.
Capacitor Electrolítico 10uF 100V SMD El precio original era: $ 4.00.El precio actual es: $ 1.61.
NLV32T-R56J-EF Inductor de Ferrita 560nH 450mA El precio original era: $ 5.00.El precio actual es: $ 1.19.
Conector JST SR 3 Pines Horizontal SM03B-SRSS-TB(LF)(SN) El precio original era: $ 9.00.El precio actual es: $ 3.93.
UNIT MP34DT05TR-A Módulo Micrófono PDM El precio original era: $ 78.00.El precio actual es: $ 70.00.

NUEVO

STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220_2

AR5417_STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220_PINOUT

STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220

STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220_3

STP110N8F6 Transistor MOSFET Canal N 80V 110A TO-220

$ 53.00

46 disponibles

CANTIDAD	PRECIO
10 piezas	$ 45.87
25 piezas	$ 40.71
35 piezas	$ 36.60

SKU: AR5417 Categorías: ACTIVOS, COMPONENTES ELECTRÓNICOS, TRANSISTORES Etiquetas: canal n, mosfet, STP100N8F6, transistor, Transistor de potencia

INFORMACIÓN

El STP110N8F6 es un transistor de potencia de efecto de campo MOSFET de canal N, diseñado específicamente para aplicaciones que requieren una alta eficiencia y un manejo robusto de corriente, ampliamente utilizado en aplicaciones de control y conmutación de potencia, como controladores de motores DC, fuentes de alimentación conmutadas, inversores, sistemas automotrices, reguladores de voltaje y etapas de potencia. Gracias a su rápida velocidad de conmutación y alta capacidad de corriente, es ideal para proyectos electrónicos de alta demanda energética.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

Tipo: Transistor MOSFET canal N
Matrícula: STP110N8F6
Encapsulado: TO-220-3
Pines: 3 pines
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 80 V
Corriente de drenaje continua: 100 A
Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Disipación de potencia : 176 W
Dimensiones: 29 mm x 10.2 mm x 4.4 mm
Peso: 2 g

DOCUMENTACIÓN Y RECURSOS

INFORMACIÓN ADICIONAL

Aplicaciones

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
Controladores de motores DC y PWM.
Sistemas automotrices de 12V y 24V.
Inversores y convertidores DC-DC.
Etapas de potencia para amplificadores.
Control de cargas de alta corriente.
Sistemas de energía solar y baterías.
Proyectos con microcontroladores y drivers MOSFET.

Precauciones al usar

No exceder el voltaje máximo drenador-fuente (VDS).
Utilizar disipador térmico cuando maneje corrientes elevadas.
Evitar descargas electrostáticas (ESD), ya que la compuerta es sensible.
Verificar la correcta polaridad antes de energizar el circuito.
No operar sin una adecuada ventilación en aplicaciones de potencia.
Asegurar un manejo correcto de la señal Gate para evitar calentamiento excesivo.
Mantener pistas gruesas en PCB para corrientes altas.

Recomendaciones de uso

Utilizar un driver MOSFET para mejorar la velocidad de conmutación.
Colocar resistencias en Gate para evitar oscilaciones.
Añadir diodos de protección en cargas inductivas como motores o relevadores.
Emplear capacitores de desacoplo cerca de la alimentación.
Diseñar una buena disipación térmica para aumentar la vida útil.
Verificar siempre la corriente máxima y potencia disipada según la aplicación.
Para control con Arduino o ESP32, comprobar que el voltaje de compuerta sea suficiente para saturar el MOSFET correctamente.